DDR4 及 HBM2 已成市場主流，下代 DDR5 及 HBM3 自然要準備出場。據 Mydrivers 報道，不是很懂這家公司，曾經的“專利流氓”Rambus今天居然公開了DDR5內存和HBM3存儲的技術參數。
德媒ComputerBase報導稱，Rambus的規劃顯示，HBM3基於7nm工藝製造，帶寬高達4GT/s，封裝架構更加複雜。按照單芯片1024bit位寬，速度就可以實現512GB/s到1TB/s，也就是比HBM2直接翻了兩番。
至於DDR5內存，設計目標I/O帶寬6.4Gbps，總帶寬51.2GB/s，頻率4800~6400MHz，預取位數16bit，均比DDR4翻番。其實在今年9月，Rambus就號稱在實驗室搞定了第一塊完整工況的DDR5驗證產品，電壓還只有1.1V。
然而，必須指出的是，至少在整個2018年，HBM3/DDR5的影子都不會見到，最快最快也需要2019年。Rambus到底是用PPT嚇人還是真有幾把刷子，那就不得而知了。只希望這種技術出來以後，不要再憑藉專利去到處“咬人”，而且當年Intel因為硬上Rambus RDRAM被結結實實坑了一把。
Source: Mydrivers