使用 SLC NAND Flash 的 SSD 如今在市場已絕跡，而 MLC 也越來越少，TLC 開始成為市場的絕對主流。據 Mydrivers 報道，TheReg撰文，談到了QLC閃存的未來和3D NAND之間的關係，還是非常有趣的。
QLC顧名思義，就是 4bits Cell，電信號存儲的密度更高。其實早在2009年，SanDisk 試圖用43nm工藝製造QLC閃存，但因為錯誤率奇高，不得不放棄。錯誤率是Flash閃存一座不可避免的大山，通常的處理方式是主控中加入ECC校驗技術，即在數據位中插入校驗位。
說到這裡你就明白了，數據位越少，出錯率必然越低，所以從存儲方式上，SLC必然是最扛用的，其次是MLC、QLC。同時，工藝也是如此。製程越先進，ECC校驗位就要增多，糾錯難度就越高。
而 SanDisk 之所以搞不定錯誤率這個問題是因為當時3D NAND還沒發展起來，基於43nm工藝的2D平面來做校驗，要想數據達到一定的準確率，要不容量很小，要不成品尺寸巨大。
而隨著3D NAND的成熟，TLC甚至QLC的未來突然豁然開朗起來。由於3D構造方式的優勢，浮柵周圍形成一圈作為支柱通道，面積增加3倍，所以30nm做出了90nm的效果，糾錯難度大大下降。
Source: Mydrivers