GlobalFoundries 矽光子大突破!首個 90nm、距離達 120km

| 小葵 | 19-03-2018 15:00 |
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GlobalFoundries 矽光子大突破!首個 90nm、距離達 120km

GlobalFoundries 宣布,已經使用 30 毫米晶圓,認證了行業首個 90nm 製造工藝的矽光子芯片,未來將使用更新的45nm工藝提升帶寬和能效,推動數據中心和雲應用的新一代光學互連。

不同於利用銅線電信號傳輸數據的傳統矽互連,矽光子技術使用光纖光脈衝,以更高的速度,在更遠距離上傳輸數據,並降低能耗,可應對全球通信基礎設施中的大規模數據增長。Intel、IBM都在深入研究矽光子技術。

GF表示,其矽光子技術可在單個矽芯片上並排集成微小光學組件與電路,“單芯片”方案利用標準矽製造技術,提高部署光學互連繫統的效率,並降低成本。

GF的最新矽光子產品依托90nm RF SOI工藝,發揮了其在製造高性能射頻(RF)芯片方面積累的一流經驗,可以提供30GHz帶寬的解決方案,客戶端數據傳輸速率達到800Gbps,傳輸距離也增加到120km。

該技術此前使用的晶圓為200毫米,而今GF利用位於紐約州東菲什基爾的10號晶圓廠,認證了300毫米直徑的晶圓。

更大尺寸的晶圓有助於提高產能和生產率,讓光子損失減少2倍,擴大覆蓋範圍,實現效率更高的光學系統。

Cadence Design Systems公司用於E/O/E、協同設計、極化、溫度和波長參數的完整PDK支持90nm技術,並提供差異化光子測試能力,包括從技術認證和建模到MCM產品測試的五個測試部分。

GF的下一代單芯片矽光子產品將採用45nm RF SOI工藝,計劃2019年投產,功耗更低,體積更小,光學收髮帶寬更高,可滿足新一代兆兆位應用。

Source: Mydrivers

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