Intel 未來十年已有全盤計劃，早前公開光刻技術的路線圖，終極目標是 10 年後即 2029 年，推展至 1.4nm 製程！製造晶片的光刻技術 (Photolithography)，主宰了晶片的製程 (Fab Process) 規格，因此倘若實現，屆時處理器核心數量必然大增，而且運作功耗極低，大幅提升應用及運算效能。
- 2029 年發展至 1.4nm 製程
- 期間將有 7nm、5nm、3nm、2nm
- 光刻技術每 2 年，大提升一次
【硬件】AMD Radeon RX 5500 XT 中階卡實測！Navi 14 新核心上陣
【硬件】NVIDIA RTX 2080 Ti 改裝變身 SUPER 版！消費 HK＄$12000．效能升三成
獨力研發新光刻
Intel 在早前 IEDM 2019 (IEEE International Electron Devices Meeting；電機電子工程師學會，電子裝置國際研討大會) 期間，公開她們光刻技術的未來十年路線圖。此舉令外界感意外，因 Intel 自 2015 年至今仍使用 14nm 光刻技術生產桌面平台處理器，直至今年起才大規模以 10nm 生產流動平台處理器。Intel 素來自行研發光刻技術，及自設晶圓 (Fab Wafer) 生產廠房，研發及生產均不假外求，故 Intel 獨力發展新一代光刻技術，難度極高。
相對之下，對手 AMD 雖然自 7 月 7 日全面推出 7nm 製程的處理器及圖像運算核心 (GPU)，但它們其實委託 TSMC (台積電) 代工生產。AMD 主要參與晶片電路設計，但 7nm 處理器及晶片成品，實際「功勞」是出自 TMSC，故 Intel 與 AMD 雙方情況不能相提並論。說回 Intel 未來十年光刻技術路線圖，計劃每 2 年步入全新製程世代，每 1 年作出小改版。2019 年 10nm，2020 年 10nm+。2021 年起 Intel 導入 EUVL (極紫光光刻) 而提升至 7nm，2022 年 7nm+。
每 2 年技術大改
如此類推，2023 年 5nm、2024 年 5nm+；2025 年 3nm、2026 年 3nm+；2027 年 2nm、2028 年 2nm+；終極目標是 2029 年推展至 1.4nm！7nm 世代使用 EUVL，往後 5nm、3nm、2nm 及 1.4nm，每次新世代將改革光刻技術，意味晶圓生產線設備將每 2 年大改革。10nm 相比 14nm，內部晶體管密度提高 2.7 倍，運用內部佈線及內聯通道 (Interconnets) 均使用鈷銅 (Cobalt-Cooper) 合金，取代傳統純銅，兼配合第一代 Foveros 3D Stacking 晶體管立體層疊結構。
因此現時已面世的 10nm 製程「Ice Lake-U/Y」流動平台處理器，舉例「4 核心 8 線程」型號如：Core i7-1065G7，最高 TDP 功耗僅 15W，最高 Turbo 時脈範圍卻高達 3.9GHz。至於 7nm 相比 10nm，內部晶體管密度提高 2.0 倍，運用第二代 EUVL 及第二代 Foveros 3D Stacking。另外，每一光刻技術世代，均設有「Back Porting」生產機制，舉例能把 7nm 生產線改為製造「10nm+++」成品，或 5nm 生產線改為製造「7nm+++」成品等。Back Porting 讓 Intel 能按照不同價位的處理器產品之需求，適時調配生產資源。
【硬件】Intel Tiger Lake 筆電處理器 L2 緩存容量升 10 倍！