日本半導體產業迎來重大突破，晶片製造商Rapidus近日正式宣布，其位於日本的IIM-1廠區已成功啟動2nm（納米）製程晶圓的測試生產，為日本在先進晶片製造領域的逆襲之路奠下重要里程碑。根據該公司規劃，此2nm製程預計將於2027年正式投入大規模量產階段。
據外媒報導，Rapidus此次試產的晶圓採用了業界最前沿的2nm全環繞柵極（GAA）晶體管技術。原型製作是半導體生產中的關鍵一步，目標是驗證新技術的可靠性、效率及性能能否達標。Rapidus確認，初期的測試晶圓已達到預期的電氣特性，這表示其晶圓廠的設備運作正常，且製程技術的開發進展順利。目前，該公司正對測試電路的各項關鍵參數，如驅動電流、漏電流及開關速度等進行詳細測量。
先進製程大躍進 挑戰台韓龍頭地位
Rapidus的IIM-1廠區自2023年9月動工以來進展迅速，無塵室已於2024年完工，截至今年6月，廠內已安裝超過200套生產設備，其中包括生產先進晶片所必需的DUV（深紫外光）及EUV（極紫外光）光刻設備。
這次成功試產對日本半導體產業帶來重大意義。過去多年，在全球晶片市場由台灣及韓國主導的格局下，日本的半導體製造產線逐漸老化，在先進製程領域遠遠落後。在台積電等巨頭大規模投資日本設廠之前，日本本土甚至難以實現40nm製程晶片的量產。因此，Rapidus此次在2nm節點上取得的突破，被視為日本半導體產業力圖重振雄風、挑戰台韓龍頭地位的關鍵一步。
Source：快科技
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