TSMC 7nm+ 製程正式量產!電晶體密度激增 20%

| 朱力恒 | 11-10-2019 21:10 |
TSMC 7nm+ 製程正式量產!電晶體密度激增 20%

台積電 (台灣積體電路製造;TSMC) 於上周正式宣布 7nm+ 晶圓製程,將電晶體密度提升多達 15% 至 20%,生產良率 (Yield Rate) 已達到大規模量產階段,7nm+ 晶片產品已開始供應予廠商,處理器、顯示核心衍生產品將於明年起投入零售市場。

  • 7nm+ 已達到高產量階段
  • AMD 明年處理器‧顯示核心均是 7nm+
  • 手機處理器將更省電

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為 6nm 製程鋪路

TSMC 於 10 月 7 日發表新聞稿,指 7nm+ 晶圓生產綫由 2019 年下半年開始試產,近期生產良率已達到大規模量產階段。TSMC 指出,原有 7nm 晶圓生產綫投產超逾 1 年,已成熟掌握所需的 EUV Lithography (極紫外光光刻) 技術,因此將原有 7nm 生產綫升級至 7nm+,為未來 6nm 晶圓製程鋪路。官方新聞稿未提及 5nm,相信在 2022 年首先提升至 6nm,待技術穩定後才進一步改進至 5nm。

在相同晶片面積下,7nm+ 電晶體密度較 7nm 增加 15% 至 20%,所需功耗卻相應降低。簡單而言,7nm+ 進一縮小晶片以降低生產成本,兼降低運作功耗;而且在相同晶片面積下,可容納更多電晶體,以提升運算效能。TSMC 與專門生產光刻器材的荷蘭 ASML 合作研發,成功將光刻所需的雷射激光,由以往 193nm 波長的 Sub-UV Immersion Lithography (次紫外光浸潤式光刻),改良至 13.5nm 波長 EUVL (極紫外光直接光刻),因而順利提升至 7nm+ 晶圓新世代。

13.5nm EUVL 雷射光束投射到矽晶圓盤 (Silicon Wafer),光束將折射成多段,最小波長低至一半即 6.75nm,從而非常精準刻錄出電晶體形狀。憑藉 13.5nm EUVL 高準確度,讓矽晶圓盤可反覆 Multi-Patterning Exposure (多重圖形曝光),令首次完成刻錄的電晶體,其形狀更清晰。

TSMC 7nm+ 製程正式量產!電晶體密度激增 20%
荷蘭 AMSL 專門生產光刻器材,圖為 NXE3500B 型號 13.5nm EUVL 光刻機,可刻錄 7nm+ 晶圓盤。

有助降低手機功耗

TSMC 獲多家大廠委託代工生產 7nm 晶片,包括:AMD、Apple、Broadcom、Qualcomm、MediaTek 等,故 TSMC 晶圓製程踏入 7nm+ 新世代,預期上述廠商的晶片產品將全部革新。AMD 在近期釋出的處理器及顯示核心產品路綫圖,已提及 7nm+ 新製程,下世代「Zen 3」微架構衍生的 Ryzen 4000 系列處理器、Ryzen Threadripper 4000 系列處理器、第三代 EPYC 伺服器級處理器,以至「RDNA2」微架構衍生的 Radeon RX 6000 系列顯示核心等,正是使用 7nm+ 晶圓製程。

值得一提是,7nm+ 名義上仍是「7nm」,但技術已大改,其低功耗優勢對於 Apple、Qualcomm、MediaTek 等手機處理器極重要,有助明顯降低功耗、熱力及延長電池續航時間。Apple iPhone 11 系列所使用的 A13 處理器,由 Apple 特別要求以 TSMC「7nm Pro」製程生產,不排除未來 A13X 高階處理器,或率先改用 7nm+ 製程。至於顯示核心巨頭 NVIDIA,與 TSMC 合作逾 21 年,惟下世代 Ampere 微架構核心,NVIDIA 已決定委託 Samsung 7nm EUV 代工生產。

TSMC 7nm+ 製程正式量產!電晶體密度激增 20%
AMD 明年上市的所有 Zen 3 微架構處理器,已完成晶片設計,全面以 TSMC 7nm+ 製程生產。

TSMC 7nm+ 製程正式量產!電晶體密度激增 20%
AMD 顯示核心路線圖,明年 RDNA2 微架構新核心,正是採用 7nm+ 製程。

TSMC 7nm+ 製程正式量產!電晶體密度激增 20%
Apple A13 處理器以 TSMC 7nm Pro 製程生產,若 Apple 推出 iPad Pro 專用的 A13X 處理器,預期使用 7nm+ 製程。

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Source:ezone.hk、TSMCWccftech

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