NVIDIA 全新 GeForce RTX 30 系列將於明年 6 月上市，改用 Ampere 微架構核心，由 SAMSUNG 7nm EUVL 製程生產，重點是提升處理實時光綫追蹤的效能。消息由美國投資銀行分析師「放風」，並指原本 GeForce RTX 30 系列原本計劃 2019 年底前上市，惟受到 7nm 製程產能延誤，故押後至明年 6 月才上市。
- Ampere 新架構，RT Cores 數量或倍增
- 明年 3 月亮相，6 月正式賣街
- SAMSUNG 第三代 7nm EUVL 製程生產
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RT Cores 數量或倍增
美系投資銀行 Raymond James 有分析師透露，指 NVIDIA 計劃提前推出 GeForce RTX 30 系列。它將於首先在明年 3 月底 GTC (GPU Technology Conference) 大會期間公布，然後 6 月初 Computex 台北國際電腦展期間正式上市。屆時首先推出 RTX 3080 Ti 及 RTX 3080 型號，採用全新 Ampere 微架構，據悉將大幅提升核心內部 RT Cores 及 Tensor Cores 數量，預計較 Turing 微架構 (GeForce RTX 20 系列) 多一倍。
現時 Turing 微架構，核心內每 1 組 S.M. (Streaming Multiprocessors) 模組，有 1 個專門應付實時光綫追蹤 (RRT；Realtime Ray-Tracing) 的 RT Cores 單元。預計 RTX 30 系列，將提升至每 1 組 S.M. 有 2 個 RT Cores。自 NVIDIA 去年推出 GeForce RTX 20 系列，牽頭推動 RRT 畫質功能，已有多款遊戲大作傾力支援 RRT。
SAMSUNG 早已掌握 7nm EUVL
現時 Turing 核心由 TSMC (台積電) 12nm 製程代工生產，惟在 7nm 新製程世代，12nm 已相對落伍。按 NVIDIA 原先計劃，GeForce RTX 30 系列核心採用 TSMC 7nm 製程。但最新消息指，NVIDIA 將委託 SAMSUNG (三星)，以 7nm 代工生產 GeForce RTX 30 系列核心。雖然同是 7nm 製程，但 SAMSUNG 與 TSMC 雙方技術有分別，SAMSUNG 自第一代 7nm 起，便已是「7nm EUVL」(極紫外光光刻) 技術，並已發展至第三代。
相對之下，TSMC 第一代 7nm 只是傳統 DUVL (Deep Ultraviolet Lithography)，直至 10 月初才正式投入 7nm EUVL 世代。根據數據分析，SAMSUNG 第三代 7nm EUVL 與 TSMC 7nm EUVL 相比，前者優勢是晶圓 Track 密度指數達 6.75，高於 TSMC 的 6.00。但 TSMC 優勢是 Minimum Cell Density 高達 113.88MTx/mm2，但 SAMSUNG 只是 93.30MTx/mm2。故雙方 7nm EUVL 晶體成品質素各有優點。但憑 7nm EUVL 製程，GeForce RTX 30 系列「功耗 / 效能比」將更進步。
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