Samsung 宣佈計劃 2030 年前投產 3nm 製程的矽晶圓盤 (Silicon Wafer)，屆時市場上的 DRAM 記憶體、NAND Flash 快閃記憶體，以至 Samsung 自家 Exynos 系列手機處理器，將達到超低功耗時代。技術重點是 Samsung 自家 GAAFET (Gate All Around FET) 晶片技術，取代現時 FinFET (Fin field-effect FET)，在更小空間下，1 條通道 (Channel) 能讓更多閘極 (Gate) 通過。
- 2030 年前量產 3nm 晶片
- 改良電晶體及電路結構
- 投資額高達 1,118.5 億美元
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製程單位數值愈細，代表晶片內部電晶體佈線，結構可以造得愈複雜。現時 Samsung (三星) 與 TSMC (台積電) 均有能力生產 7nm EUVL 製程的晶片，雙方也計劃發展 5nm，然而 Samsung 已明確計劃生產 3nm 晶片，目標是 2030 年前。晶片內部佈線，其實仿如建築物的間格，垂直的「牆」稱為 Gate (閘極)；穿過 Gate 的「鋼筋」線路，則稱為 Channel (通道)。
現時 7nm 及 FinFET 技術下，Gate 造得較高，左側、頂端、右側共 3 個表面，能與 Gate 接觸。但未來 3nm 及 GAAFET 技術下，Channel 將大幅縮小，讓可多達 3 條直接貫穿 Gate。由於每條 Channel 的橫切面積是呈長方形，有 4 個表面；3 條 Gate 便等於 12 個表面，能與 Gate 接觸，大幅提高晶片內部線路的使用效率，而且能承受 30GHz 級數超高時脈。
Samsung 表示將投資 1,118.5 億美元，在南韓建設 3nm GAAFET 矽晶圓盤生產廠房。雖然要 2030 至 2031 年，才開始有 3nm 晶片產品，但其實與用家息息相關。屆時 DRAM、NAND Flash、手機處理器、電腦平台 GPU 等，若以 3nm GAAFET 製程，晶片體積將極細小，電晶體 (Transistors) 數量大幅提高，令容量或效能均能大幅加強，但功耗卻極低。
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Source：ezone.hk、Wccftech