中國存儲器巨頭長江存儲近日成功以全國產設備製造出3D NAND閃存芯片，為中國芯片自主化進程再添重要里程碑。此舉不僅展現中國在半導體領域的技術實力，更是在美國技術封鎖下的一次重大突破，為中國芯片產業注入一劑強心針。
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近年來，美國不斷加強對中國芯片產業的限制，試圖遏制中國在高科技領域的發展。然而，中國企業並未因此停下腳步，反而更加堅定地走自主創新之路。
技術突破全國產設備
3D NAND閃存芯片是當今數據存儲領域的核心元件，廣泛應用於智能手機、電腦、數據中心等各個領域。然而，其製造技術一直被國際巨頭壟斷，中國企業長期依賴進口。長江存儲此次突破，不僅打破了國際壟斷，更為中國在數據存儲領域的自主可控奠定了堅實基礎。
更值得關注的是，長江存儲此次使用的設備全部為國產，包括中微半導體的蝕刻設備、北方華創的沉積與蝕刻設備，以及拓荊科技的沉積設備。這表明中國在半導體設備領域也取得了長足進步，為芯片製造的全產業鏈自主可控提供有力支撐。
挑戰與機遇並存
儘管長江存儲取得了重大突破，但仍面臨不少挑戰。目前，使用國產設備製造的芯片在堆疊層數和產量上仍有提升空間。此外，美國的技術封鎖也可能帶來更多不確定性。然而，挑戰與機遇並存。在國家政策的大力支持和市場需求的強勁拉動下，中國芯片產業正迎來前所未有的發展機遇。
Source：快科技
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